1나노 dram 절연막을 이해하려면 먼저 DRAM의 ‘1’ 표기를 정확히 볼 필요가 있다. 업계에서 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c처럼 부르는 세대는 10nm급 DRAM 공정 세대명이며, 1c가 실제 1nm 선폭이라는 뜻은 아니다. 공정이 계속 미세해지면 트랜지스터와 커패시터에 들어가는 절연막도 더 얇고 정교해져야 한다. 이때 누설전류를 줄이면서 전하 저장능력을 유지하기 위해 하이케이(High-k) 절연막 기술이 중요해진다. 1나노 dram 절연막은 왜 중요할까?DRAM 셀은 크게 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 트랜지스터는 데이터를 읽고 쓰는 스위치 역할을 하고, 커패시터는 전하를 저장해 0과 1을 표현한다. 공정이 미세해지면 두 구조 모두 면적이 줄어들기 때문에 얇은 절연막의 성능이 제품 ..
